你的位置:首页 >> 产品展示 >> 薄膜温度传感器 >> 温度传感器采集卡  温度传感器采集卡
热电偶薄膜材料
来源:delsys表面肌电脑电分析系统_EMG_EEG_人因工程 | 发布时间:2021/7/27 8:39:30 | 浏览次数:

2.随着环境温度的升高,灵敏度降低。由于材料特性(热电偶材料、薄膜材料),在较高的环境温度下,灵敏度(每吸收辐射伏特数)较低。这种热电堆特性用温度系数TCSENS表示。

事实1的结果是,整个曲线在不同的电压水平下移动,这取决于环境温度。这些曲线之间的距离在这里称为偏移VOFFS。

No 2的结果是曲线的梯度(与热电堆灵敏度成正比)随着环境温度的升高而减小。温度越高,曲线越平坦。

请注意,特性曲线形式不受这两个因素的影响。事实1只会改变曲线,事实2会压缩曲线。根据环境温度拉伸曲线。曲线特性仅取决于热电堆的滤波特性。在大多数应用中,滤波器特性的这种变化可以忽略不计。

通过了解特定热电堆的灵敏度和温度系数TCSENS,可以确定与参考热电堆的关系,从而计算目标温度。查表与反查表

本章简要说明了如何测量参考查找表所需的参考值。描述了该LUT的基本操作。

参考TP应为具有平均水平灵敏度的热电堆。应在应用中进行测量。这意味着应测量整个信号路径(包括预放大…)。

测量结果可以在右边的表格中。

步长取决于后期温度检测所需的精度和微控制器中的可用内存。

算法后面需要对该LUT执行两个操作:

1.V=LUT(T)

2.T=RLUT(V)

例子:

V=LUT(T=45°C)=1.70mV

T=RLUT(V=4.34mV)=70°C

TS118-1传感器温度=25°C物体温度[°C]VTP[毫伏]

校准

校准是指:

测量热电堆参数,之后需要确定实际测量的热电堆电压和参考热电堆电压之间的联系。将这些参数存储在传感器的非易失性存储器中。

所需参数是TCSENS和与参考传感器相比的灵敏度,灵敏度转换系数SCONV。

在某些应用中,根本不需要确切地知道每个传感器的TCSENS,这意味着应该考虑数据表值。在这种情况下,只需要“一次环境温度校准”来测量灵敏度。

请参见下面的示例如何测量SCONV。

在该示例中,在TSEN=TREF=25°C和TOBJ=100°C时,将校准中TP的电压与参考TP的电压进行比较。结果是灵敏度转换系数SCONV为0.982。该值必须存储在校准传感器的非易失性存储器中。

 
TAG:
打印本页 || 关闭窗口
 上一篇:热电堆温度信号测量电路
 下一篇:热流传感器