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压电膜元件
来源:delsys表面肌电脑电分析系统_EMG_EEG_人因工程 | 发布时间:2016/4/29 13:55:59 | 浏览次数:

典型压电膜元件的工作特性

 

DTI元件是一个在压电聚合体基体上模切15x40mm并在12x30mm有效面积上两面印有银墨电极的标准MSI压电膜结构。

 

1、电 机变换

  1方向)25x10-12 m/V, 700x10-6N/V  

  3方向)33x10-12m/V

 

2、机 电变换

  (1方向)12x10-3Vμ/ε, 400x10-3V/μm  14.4V/N

  3方向)13x10-3V/N

 

3、热 电变换

   8V/°K(@25℃)

 

4、电容

1.36x10-9F,耗散系数0.018@10kHz阻抗@10kHz12KΩ

5、最大工作电压

   DC:280V1方向上,产生7μm位移量)

   AC:840V1方向上,产生21μm位移量)

 

6、最大受力(d31方向上,断裂)

   6~9kgF(电压输出830~1275V

 

电一机变换

 

压电膜一般是不可能实现大的位移量和力的,例如在设计扬声器时这一点是显而易见的,因为其低频性能(500Hz以下)是很有限的。甚至一块大面积的压电膜在低频时也无法产生出高幅压力脉冲。正如我们从目前的超声波空间测距传感器(40~50KHz)的设计和医用超声波成像应用中所了解到的,它无法应用到太低频率和太高的超声频率上。

 
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